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發(fā)布日期:2022-10-11 來(lái)源:環(huán)球電氣之家 作者:環(huán)球電氣之家 點(diǎn)擊率:350 品牌:組態(tài)王_Kingview
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固態(tài)繼電器的輸出電路只不過(guò)是開(kāi)關(guān)負(fù)載電流的一個(gè)元件;我們?nèi)匀灰蚤_(kāi)關(guān)時(shí)的信號(hào)來(lái)定義固態(tài)繼電器–交流或直流。由于考慮到價(jià)格原因,現(xiàn)在所采用的技術(shù)中,交流和直流的開(kāi)關(guān)不能同時(shí)用在同類型的固態(tài)繼電器上,同時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁不兼容的問(wèn)題。 同樣,由于散熱和價(jià)格原因,電子元件結(jié)構(gòu)也不允許同時(shí)有多個(gè)輸出,同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生電磁不兼容的問(wèn)題。
n 直流輸出(直流固態(tài)繼電器)
根據(jù)具體的需求,直流輸出固態(tài)繼電器的電器元件采用一個(gè)雙向晶體管或FET晶體管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。為了獲得快速響應(yīng)時(shí)間,并且輸出電流不大(<=10安培), 雙向晶體管是直流固態(tài)繼電器開(kāi)關(guān)元件的理想選擇。FET 晶體管一般用在要求有非常低的漏電電流低(<10微安),負(fù)載電流大(30 到40安培)但溫度升高并不多的應(yīng)用場(chǎng)合。
直流輸出固態(tài)繼電器的輸出元件可以采用2線制或3線制輸出。2線制輸出主要用于輸出電流小于10安培并處采用模塊式封裝外殼的固態(tài)繼電器,3線輸出一般應(yīng)用于I/O模塊。在2線制輸出電路中,負(fù)載可以串聯(lián)于固態(tài)繼電器的任何一個(gè)端子上,只要電源電壓的極性符合要求。
當(dāng)輸出元件是雙向晶體管時(shí),2線連接方式可以防止晶體管完全飽和,這樣使得固態(tài)繼電器輸出兩端接通時(shí)的壓降保持在1.2-1.5VDC。這在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合是可以接受的,特別是負(fù)載電源電壓比較高時(shí)(>24VDC)。
當(dāng)輸出端的工作電壓較低時(shí),例如在數(shù)字接口系統(tǒng)中,一個(gè)1.5VDC的殘余電壓就顯得太高了;在這種情況下得用3線制方式,使得輸出晶體管全飽和時(shí),殘余電壓只有0.2-0.3VDC。I/O模塊通常被應(yīng)用于兩個(gè)低壓數(shù)字系統(tǒng)或組件之間,用作隔離接口,因此通常有3線輸出的PNP 或NPN模式。
當(dāng)固態(tài)繼電器接通時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管相當(dāng)于一個(gè)小電阻(50到80毫瓦)。根據(jù)歐姆定律,由于固態(tài)繼電器輸出端的壓降取決于通過(guò)的電流大小,例如通過(guò)20A的電流,固態(tài)繼電器量大電壓降約為1.2-1.5VDC。
n 交流輸出(交流固態(tài)繼電器)
在交流固態(tài)繼電器中, 開(kāi)關(guān)元件根據(jù)需求,由可控硅組SCR或可控硅TRIAC組成。對(duì)于高額定輸出電流(>50安培)或者高峰值電壓(1200到1500伏特)的交流固態(tài)繼電器,一般選用兩個(gè)SCR可控硅組背靠背安裝,而不選用單個(gè)雙向可控硅TRIAC。單個(gè)雙向可控硅TRIAC輸出型固態(tài)繼電器則更適用于要求經(jīng)濟(jì)便宜,對(duì)電流或dv/dt(電壓變化率)性能要求不高的場(chǎng)合。
n 可控硅SCR
在交流固態(tài)繼電器中,通常采用可控硅SCR做開(kāi)關(guān)元件,因?yàn)樗?/span>SCR具有通斷幾千安培的電流,同時(shí)使固態(tài)繼電器輸出端的電壓限制在一個(gè)比較低的電壓(最高不超過(guò)2VAC),并且它還能承受10-12倍額定電流的非重復(fù)峰值電流。另外,可控硅SCR也能承受高達(dá)幾千伏的反向峰值電壓。
可控硅SCR相當(dāng)于一個(gè)單向二極管,當(dāng)控制輸入端無(wú)效時(shí),它能阻止兩個(gè)方向的電流。在門(mén)極施加一個(gè)短的脈沖或者所加電壓超過(guò)翻轉(zhuǎn)電壓VB0,可控硅SCR就可以導(dǎo)通(從陽(yáng)極到陰極)。同時(shí),只有在電壓翻轉(zhuǎn)或者通過(guò)的電流減少到低于最小維持電流IH并持續(xù)很短的一段時(shí)間(約15us)。
可控硅SCR可以看成是將兩個(gè)晶體管裝在一起,集成到同一個(gè)硅芯片上,使它們之間產(chǎn)正向逆反饋。當(dāng)V1的基極或門(mén)極施加一脈沖信號(hào)后,V1開(kāi)始導(dǎo)通,在晶體管V2的基極產(chǎn)生一電流,使得流過(guò)V2集電極(V1基極)的電流增大,使得V1進(jìn)一步飽和(正向逆反饋)。進(jìn)一步,可控硅SCR就不再受其輸入端控制。
可控硅SCR相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)二極管,但作為一個(gè)單向元件它有許多弊端。為了克服其弊端,使其能在電源正、負(fù)半波都能工作,通常在固態(tài)繼電器中采用兩個(gè)SCRs反向并聯(lián)(背靠背安裝)。
n 可控硅Triac
隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,可以非常經(jīng)濟(jì)方便地將兩個(gè)同等的反向可控硅SCRs合成在同一芯片上,受控于同一個(gè)輸入端:這樣可控硅Triac就誕生了。然而可控硅Triac很大程度上受限于電流(最大電流=40/50安培),電壓(最大=800伏)和最大的dv/dt特性。最大的dv/dt值被認(rèn)為是最重要的參數(shù),dv/dt參數(shù)可以通過(guò)增加濾波器來(lái)改善,濾波器也集成到可控硅Triac內(nèi)部。通常不帶濾波器的雙向控硅Triacs被稱為“無(wú)吸收”可控硅。
電源通斷還有其他解決方案,如交變可控硅(2個(gè)背靠背安裝可控硅組SCRs受控于一個(gè)雙向可控硅Triac);它的動(dòng)作類似于兩個(gè)背靠背安裝的SCRs。
功率元件的主要受限因素
可控硅SCRs和Triacs,以及其他開(kāi)關(guān)元件,通常適用于快速通斷大電流的場(chǎng)合。除了考慮一般的最大電流、電壓等的限制外,還要考慮其他一些具體的限制因素,來(lái)優(yōu)化固態(tài)繼電器的性能和避免故障。
n 靜態(tài)dv/dt 限制
可控硅組SCRs和Triacs這些器件迷人特性(大電流,高開(kāi)關(guān)速度)源自于它們的正向逆反饋,同時(shí),正向逆反饋也給這些器件帶來(lái)dv/dt限制。在陽(yáng)極和陰極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬時(shí)的電壓變化,可能會(huì)導(dǎo)致SCR不受控地導(dǎo)通。由于陽(yáng)極和門(mén)極之間的電容效應(yīng)。如果C是雜散電容,電流通過(guò)此電容,因而V1(見(jiàn)可控硅SCR原理圖)的基極電流可被定義為:
I=C.dv/dt
取決于C和dv/dt值的大小,電流有可能上升到足夠高,使得可控硅SCR導(dǎo)通。施加在固態(tài)繼電器兩端的最大電壓變化,而不會(huì)使固態(tài)繼電器出現(xiàn)非受控導(dǎo)通的值(靜態(tài)dv/dt),通常在技術(shù)規(guī)格書(shū)中明確以V/us的方式標(biāo)識(shí)出來(lái)。500V/us是可控硅SCR的典型值,而雙向可控硅Triac的dv/dt大約是200V/us。通過(guò)比較, 230VAC,50Hz的供電,在通過(guò)零點(diǎn)時(shí)的最大dv/dt值是0.1V/us。
dv/dt值可以通過(guò)在內(nèi)部或外部加RC阻容吸收,得到顯著提高。然而RC濾波器的缺點(diǎn)是增大漏電電流。
n 開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)dv/dt 限制
同樣SCR非受控導(dǎo)通現(xiàn)象也會(huì)發(fā)生在帶感性負(fù)載,電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)斷開(kāi)電路的情況下。在這種情況下,可控硅SCR在電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)斷開(kāi),主回路的瞬時(shí)電壓就會(huì)立刻加在可控硅SCR的兩端。電流和電壓的相位相差越大,則電壓的變化越陡峭,同時(shí)陽(yáng)極和門(mén)極的電容耦合效應(yīng)可以使控硅SCR反向?qū)?,引起錯(cuò)誤導(dǎo)通故障。引起可控硅triac導(dǎo)通的dv/dt典型值為20V/us。
然而,這種故障非常少見(jiàn),只發(fā)生在接近額定電流時(shí),開(kāi)關(guān)高感性負(fù)載的情況下。使用“無(wú)吸收”元件也可以減少這種現(xiàn)象。
n di/dt 限制
由于內(nèi)部的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),可控硅組Triacs和SCRs僅有非常有限的能力來(lái)吸di/dt電流變化,在半導(dǎo)體的結(jié)點(diǎn)處會(huì)有因?yàn)檫^(guò)熱而損壞的危險(xiǎn)。固態(tài)繼電器可承受的最大di/dt值取決于輸出元件,其范圍從10-200 A/us。
在實(shí)際應(yīng)用中,很難達(dá)到這些值。這是由于在電流增加時(shí),所有線路中的雜散電感應(yīng)(盡管微弱)和電阻阻抗限制了電流的增加率。
n 漏電流
交流固態(tài)繼電器都是2線制輸出元件,跟同類電子元器件一樣,存在有漏電流的缺點(diǎn)。取決于所選用的元件不同,一般漏電電流通常在2到10毫安之間。將它們應(yīng)用到控制系統(tǒng)時(shí)務(wù)必要考慮到漏電電流可能帶來(lái)的影響。采用吸收器或外接RC過(guò)濾器會(huì)進(jìn)一步增加漏電電流。
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