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開發板

射頻電路設計實錄第三章,元器件選型

發布日期:2022-10-14 點擊率:36

射頻電路設計實錄(RF Design Record,簡稱RDR)是無線時代網站推出的系列射頻技術文章,記錄了一款產品的完整設計過程。本文是其中的第三章,硬件架構設計與元器件選型。

3.1 LDMOS選型

3.1.1 LDMOS廠商的選擇

根據第二章給出的技術規格,不難得出,整個產品的最大難點在于高階調制方式下的10W平均射頻輸出功率,常規的MMIC都是無法滿足要求的。根據已有經驗,在W-CDMA,TD-LTE基站設備中,通常使用LDMOS作為功率放大器,因此,LDMOS也就成為了這款產品的核心器件。Freescale,Infineon,NXP是三個LDMOS的主要生產廠家。

說說我對這三家公司的認識。Freescale是由Motorola成立的半導體公司,其設計生產的PowerPC,MCU,射頻器件廣泛應用在網絡通信,無線基礎設施,工業控制領域,本人經常使用Freescale的PowerPC與i.MX系列ARM處理器。

Infineon是一家德國公司,其產品性能真心不錯,我經常使用Infineon的LNA,其實最早也是出現在Atheros的參考設計中,其性能指標真的很好。

NXP是由Philips成立的半導體公司,其射頻器件本人至今還未使用過,倒是用過他們的一些邏輯器件,LDO等芯片。

由于之前對Freescale最熟悉,另外與其代理商Avnet的FAE很熟悉,所以我比較傾向于選擇Freescale的LDMOS。這里需要指出的是,并不是本人不愿意嘗試新鮮的器件,技術,只是由于時間限制,不可能花太多的時間在這方面,如果時間足夠寬裕,我會考慮選擇Infineon和NXP的LDMOS。我相信這其實也是廣大工程師做產品開發時會普遍遇到的問題,由于公司或者所里面上層領導的壓力,不得不做出讓步,只能選擇自己熟悉的半導體器件,以便縮短開發時間和降低開發風險。另一方面,如果一個FAE前期提供了很多支持,同時這家公司的器件可以很好地滿足產品需求,那么從道義上講也應該選擇這家公司的器件,否則會很讓人心寒。

3.1.2 LDMOS具體器件的選擇

上一節已經確定了使用Freescale的LDMOS作為核心器件。這一節的主要內容就是要找到一顆合適的Freescale的LDMOS。Freescale的射頻器件網址是http://www.freescale.com/webapp/sps/site/homepage.jsp?code=RF_HOME,左側是射頻功率器件,按照不同的頻率劃分為不同的分類。其中有一個“ISM Band -2450MHz”分類很吸引人,點擊這個分類,可以看到有三顆器件,如表3-1所示。

表3-1 ISM Band 2450MHz

Sr. #

Product (# of Parts)

Description

Frequency

1

MRF6P24190HR6 (2)

2450 MHz, 190 W, 28 V CW Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2450 to 2450

2

MRF6S24140H (4)

2450 MHz, 140 W, 28 V CW Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2450 to 2450

3

MW7IC2425N (3)

2450 MHz, 25 W CW, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2450 to 2450

表面上看,MRF6P24190HR6和MRF6S24140H的1dB壓縮點都達到了100W以上,完全可以滿足要求,但是經過與FAE的溝通,得知這幾顆器件比較老,而且不適合做寬頻的信號放大,這也解釋了為什么這三顆器件的工作頻率范圍是2450-2450MHz。

經過FAE的推薦,我選擇了MRF8S26060H,一款適用于W-CDMA基站的放大器,雖然MRF26060H的官方描述為“2620-2690 MHz, 15.5 W Avg., 28 V Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs”,但是相對于其他的放大器,MRF8S26060H在2.4GHz頻段仍具有較高的增益,如圖3-1所示。

MRF26020H-Broadband-Response

圖3-1 MRF26020H頻率響應曲線

MRF26020H的1dB壓縮點為60W(連續波),即47.8dBm,考慮802.11n MCS7速率下峰均比約為8dB,則MRF26020H可輸出39.8dBm的平均功率,很接近目標值,但是考慮到TR Switch的插損以及器件的不一致性,如果使用2顆MRF26020H做功率合成,則可以很好地滿足產品技術規格要求。

這時,肯定有讀者會發出質疑,為什么最終還是FAE推薦的?其實有一個事實,我們不得不承認:我們永遠不可能比FAE更熟悉元器件。FAE能夠了解到元器件廠商的最新信息,包括大家廣泛使用的是什么,哪顆器件交期,價格比較好等等。這樣,就可以避免設計人員走很多彎路。充分利用已有的資源,我認為也是一個合格的工程師需要具備的能力。

最終,我選擇Freescale MRF8S26060H LDMOS作為產品的功率放大器,也是產品的核心器件。

3.2 驅動放大器選型

從圖3-1中可以看出,LDMOS在2400-2500MHz頻率范圍內增益約為16dB,2顆LDMOS做功率合成的話,其增益為19dB,為了得到40dBm的平均輸出功率,單顆LDMOS的輸入端至少要達到21dBm,則LDMOS的總輸入功率為24dBm。24dBm這樣的輸出功率對于運營商無線AP來說也許不是問題,但是對于家用路由器,如TP-Link,D-Link這類產品,其802.11n MCS7速率下的輸出功率遠遠達不到。因此,為了兼容市面上大多數產品,需要在LDMOS之前使用驅動放大器,并保證可以輸出24dBm以上的輸出功率。

這時,另外一位FAE,也是我的好友,為我提供了有用的信息。RFPA5201E是著名射頻器件廠商RFMD推出的一款大功率2.4GHz WLAN射頻功率放大器,其射頻輸出功率可達29dBm,并滿足EVM=3%,可以很好地滿足本產品的需求。

RFPA5201E的主要參數,如圖3-2所示。

RFPA5201E-Parameters

圖3-2 RFPA5201E的主要參數

3.3 數調衰減器選型

在3.2中,可以看到RFPA5201E的典型增益為33.5dB,這是相當高的增益,為了能夠靈活地調整整版的射頻輸出功率,需要在驅動放大器之前增加一級數調衰減器,數調衰減器+驅動放大器,使得后續的自動增益控制(AGC)成為了可能,自動增益控制也是一款合格的大功率射頻產品必備的特性。

PE4302是Peregrine Semiconductor公司的一款數字可調射頻衰減器,適用于FM,WCDMA,WLAN,WiMAX等產品的閉環功率控制。PE4302的最大衰減31.5dB,步進0.5dB,工作頻率為DC-4GHz,可以通過并行/串行數據接口進行控制。其主要參數如圖3-3所示。

PE4302-Parameters

圖3-3 PE4302主要參數

PE4302的衰減量可調范圍為31.5dB,配合驅動放大器RFPA5201E的33.5dB固定增益,則AGC的調整范圍為2-33.5dB,足以滿足各種場合。

但是,有一點必須注意,PE4302的最大輸入功率為24dBm,如圖3-4所示。考慮802.11n MCS7速率下8dB的功率回退,則PE4302的最大平均輸入功率變為24-8=16dBm,而運營商級,企業級無線AP的輸出功率往往會高于16dBm,因此,有必要在PE4302之前增加一級固定衰減器,這里我選定為12dB,后續將會在硬件設計框圖中看到。

PE4302-Operating-Range

圖3-4 PE4302工作范圍

3.4 TR Switch選型

從3.1中可以得知,整版射頻輸出功率峰值可達120W以上,這就對TR Switch提出了很高的要求, WiFi產品常用的TR Switch如NEC uPG2179,NEC uPG2409,Skyworks SKY13370,RFMD RF8000均無法滿足這樣的要求。嘗試查找環形器,發現沒有2.4GHz頻段的成品,只能定制。

無意間想起了以前曾經接觸過的PIN Diode,適合用于大功率射頻電路的收發切換,查找Skyworks的官方網站,發現有合適的產品可以使用。Skyworks的SKY12207-478LF是一款CW (Continue Wave)50W,峰值功率300W的大功率PIN Diode Switch,完全可以滿足需求。

使用PIN Diode Switch的一個缺點是需要特殊的驅動電路,無線時代網站有專稿講解PIN Diode Switch的驅動電路設計與調試,感興趣的讀者可以訪問https://www.witimes.com/pin-diode-driver/。

3.5 低噪聲放大器的選型

因為這款產品將會與成品無線AP連接,因此,這款產品的LNA就成為了接收鏈路的第一級,那么讀者一定知道了這里的LNA的重要性:第一級LNA的噪聲系數對于系統噪聲系數懂的貢獻是最大的,因此應當盡可能將這一級的LNA的噪聲系數降至最低。

與一些做手機基站的朋友溝通,得知基站中通常選用噪聲系數0.4dB以下的器件,這對于 WiFi產品來說似乎比較困難。BFP740是Infineon推出的高性能低噪聲放大器,其噪聲系數典型值為0.5dB@1.8GHz,0.85dB@6GHz,其轉折頻率高達42GHz。BFP740也是出現在Atheros參考設計中的一顆LNA,一直以來都覺得不錯,因此本產品我選擇BFP740作為低噪聲放大器,其噪聲系數在可接受范圍內。

3.6 對數放大器的選型

我相信很多讀者第一次聽到對數放大器這種器件,這個產品使用對數放大器主要是用于駐波比檢測。以下內容摘自ADI官方網站,很好地介紹了ADL5519的特性及應用。

ADL5519是一款雙通道解調對數放大器,內置兩個AD8317,能夠將射頻(RF)輸入信號精確地轉換為相應的分貝標度輸出。它可以為兩個RF測量通道提供精確調整的獨立對數輸出電壓。該器件具有兩個附加輸出端口OUTP和OUTN,用來提供OUTA與OUTB通道之間的測量差。由于片內通道匹配,因而對數放大器輸出對溫度和工藝變化不敏感。

對于1 MHz至8 GHz信號,ADL5519能保持精確的對數一致性,并能在最高10 GHz下工作。±3 dB典型動態范圍為62 dB,±1 dB動態范圍大于50 dB (電阻:50 Ω)。ADL5519的響應時間為6 ns/8 ns(下降時間/上升時間),能夠檢測脈沖頻率大于50 MHz的RF突發脈沖。在環境溫度條件下,該器件具有極佳的對數截距穩定性。它采用3.3 V至5.5 V電源供電,典型功耗為60 mA,在禁用狀態下功耗可降至1 mA以下。

這款器件能夠同時提供四個對數放大器測量結果。線性dB測量結果由OUTA和OUTB提供,具有方便調整的?22 mV/dB斜率。OUTA與OUTB之間的對數放大器差值可作為差分或單端信號在OUTP和OUTN上獲得。施加于VLVL上的可選電壓提供一個共模基準電平,用來使OUTP和OUTN偏置于地電位以上。寬帶輸出引腳可以支持多種系統解決方案。

ADL5519的任一輸出引腳經過配置,均可向可變增益放大器(VGA)提供一個控制電壓。輸出引腳的寬帶噪聲問題得到了特別處理,可降至最低,因此可用于控制器應用。

ADL5519采用SiGe雙極性IC工藝制造,并采用5 mm × 5 mm、32引腳LFCSP封裝,工作溫度范圍為?40°C至+125°C。

ADL5519的典型應用如下:

  • RF功率放大器線性化與增益/功率控制
  • 無線電線路發射機中的功率監控
  • 雙通道無線基礎設施無線電
  • 天線VSWR監控器
  • 基站、WLAN、WiMAX和雷達中的RSSI測量

查閱ADL5519的Datasheet,可以看到,測量駐波比,是ADL5519的一種主要應用,其應用框圖如圖3-5所示。我選定ADL5519作為駐波比檢測芯片,并配合AD轉換芯片完成控制。

ADL5519-VSWR

圖3-5 ADL5519測量電壓駐波比

3.7 硬件設計框圖

3.1-3.6介紹了所有核心器件的選型,如果分析得沒有錯誤的話,只需要配合電源電路,簡易數字電路與控制電路,就可以實現預期的技術指標,這時,可以給出如圖3-6所示的硬件設計框圖(未包含VSWR檢測電路,未包含控制電路)。圖中給出了IEEE 802.11n HT20 MCS7模式下各個位置的射頻功率及部分器件的插損。可以看到,本設計可以支持7.5dBm-45dBm的輸入功率范圍,足以匹配任何2.4GHz WLAN AP/路由器。感興趣的讀者可以仔細這張硬件設計框圖,希望能夠理解設計思路。

Hardware-Block-Diagram

圖3-6 硬件設計框圖

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