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最近在德國慕尼黑舉行的會議上,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織討論了有關(guān)改進(jìn)一系列與存儲器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的問題,并創(chuàng)建了一個新的固態(tài)硬盤委員會,重新開始推動行業(yè)向閃存式硬盤的過渡。

來自三星的新JC-64工作組主席Mian Quddus表示:“固態(tài)硬盤(SSD)已經(jīng)可以標(biāo)準(zhǔn)化了。”這個SSD組織目前已經(jīng)有了約60名成員。

Quddus表示,固態(tài)硬盤的標(biāo)準(zhǔn)化將以外形為重點,標(biāo)準(zhǔn)尺寸將在0.8～2.5英寸之間。

另外,接口、指令協(xié)議、電源和電源管理等都是該工作組關(guān)心的問題。作為SSD的一個主要部分,非易失性存儲芯片也將標(biāo)準(zhǔn)化,面向它的接口和指令協(xié)議將會由工作組限定。而且,開發(fā)面向控制器和SSD主板的參考設(shè)計也是該工作組的目標(biāo)。

JC-64標(biāo)準(zhǔn)組織領(lǐng)頭人、美光科技的Jim Cooke表示,開發(fā)一個名為通用閃存(UFS)的接口是該組織的長遠(yuǎn)目標(biāo),該接口基本上可以支持任何非易失性存儲器,包括相變RAM、 FeRAM或MRAM等每一類未來的非易失性存儲技術(shù)。

UFS的其它設(shè)計目標(biāo)還包括實現(xiàn)至少2 Gbit/s的數(shù)據(jù)率、低管腳數(shù)和低功耗。Cooke表示,整個標(biāo)準(zhǔn)化程序有望在2009年初完成。

實際上,非易失性存儲技術(shù)似乎是這一系列會議的主題-盡管沒有公開。一位不愿透露姓名的與會人員表示:“幾乎99%的與會者都在投身非易失性存儲器的開發(fā),但就是沒人討論這一技術(shù)。”

在正在進(jìn)行的DDR3標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)中,JEDEC的目標(biāo)是進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸帶寬。JC42.3附屬委員會主席Todd Farell表示,該組織提出了這么一個目標(biāo),在2008年讓DDR3-1600實現(xiàn)25.6 GB/s的帶寬；目前1066的前端總線時鐘周期支持17 GB/s的帶寬。一個名為JESD79-3A的單獨標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)獲得批準(zhǔn),將于9月份發(fā)布。

此次系列會議的另一個話題是DDR4。JEDEC的Future DRAM任務(wù)組組長Dong-yang Lee表示,該組的目標(biāo)是在降低功耗的同時提高性能和密度。Lee表示, DDR4的電壓將會從如今DDR3內(nèi)存芯片中所用的降低到,而數(shù)據(jù)率則將是DDR3的兩倍。同時,該任務(wù)組的工程師還會努力降低成本。

GDDR5高性能圖形存儲器標(biāo)準(zhǔn)也是此次會議的重點。與GDDR4相比,GDDR5的數(shù)據(jù)量是其兩倍,主要應(yīng)用方向是游戲機(jī)、專業(yè)P2P消費電子設(shè)備和數(shù)據(jù)流計算。GDDR5任務(wù)組主席、AMD公司的Joe Macri解釋說:“實際上這是個很大的市場。這是面向大眾的超級計算。”

GDDR5芯片將帶有一個內(nèi)置的誤差檢測協(xié)議,它和如今存儲器中所用的ECC方案不同。這種芯片的設(shè)計功耗將為2W,數(shù)據(jù)率為5 Gb/s。低功耗特征使其在更低數(shù)據(jù)傳輸率下時鐘速率更慢,當(dāng)然功耗也就更低。

Macri表示,第一批GDDR5芯片樣品將于2008年問世,量產(chǎn)也將于2008年開始。