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    在2007年多點(diǎn)觸控起飛時(shí)，Atmel還趕不上這股潮流，直到兩年后才推出第一顆電容式多點(diǎn)觸控控制器。即使有了產(chǎn)品，Atmel還是相當(dāng)?shù)驼{(diào)，大家只知道Atmel以自家的電荷移轉(zhuǎn)法電容技術(shù)切入市場(chǎng)，并主攻高端品牌市場(chǎng)，但東西到底做的如何，即使在觸控“當(dāng)?shù)馈钡呐_(tái)灣，業(yè)者們也不太清楚。

    漸漸地，Design-win的消息愈來(lái)愈多，到了今天，在Computex 2013的展前記者會(huì)場(chǎng)，一整排從手機(jī)、平板到筆電的應(yīng)用案例，個(gè)個(gè)都是機(jī)王或話題機(jī)，如Galaxy S3、微軟的Surface Pro/RT、Google的Nexus 10等等。如今說(shuō)Atmel是觸控IC的一哥，應(yīng)不為過(guò)。

附圖 ： Atmel提出ITO替代材 - Xsense技術(shù)

    Atmel能站上此地位，其技術(shù)實(shí)力無(wú)疑是其被市場(chǎng)肯定的主要理由。以今年Computex發(fā)表的maXTouch T系列的mXT2952T來(lái)說(shuō)，相較于目前市場(chǎng)需二至三顆的其他解決方案，它率先做到以單晶片就能支援到15.6英吋且經(jīng)Windows 8認(rèn)證過(guò)的觸控式螢?zāi)唬?jīng)優(yōu)化后可支援的覆層玻璃厚度僅0.4mm。

    另外，該走互電容和自電容感測(cè)架構(gòu)呢?這件事在觸控業(yè)爭(zhēng)論已久，因兩者各有優(yōu)勢(shì)，目前觸控業(yè)的共識(shí)是走向兩者并存的架構(gòu)。當(dāng)然，Atmel也不例外，其全系列maXTouch T都支援互電容和自電容的自動(dòng)調(diào)整感測(cè)架構(gòu)。

    Atmel觸控技術(shù)業(yè)務(wù)部高級(jí)行銷(xiāo)經(jīng)理黃添華分析指出，互電容可實(shí)現(xiàn)真正的多點(diǎn)觸控跟蹤;自電容則適合用來(lái)提供包括閒置功耗、抗潮濕能力、戴手套追蹤，以及檢測(cè)未與觸控式螢?zāi)唤佑|的手指或物體的懸空功能。該公司觸控產(chǎn)品可依應(yīng)用類(lèi)型自動(dòng)選擇最佳的感測(cè)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫開(kāi)關(guān)，以達(dá)到更高的性能和更低的功耗。

    其他抗噪訊能力提升、支援主動(dòng)手寫(xiě)筆和感測(cè)器中樞(Sensor hub)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，且不多提，這里想多著墨的(雖然細(xì)節(jié)資料取得不多)是Atmel的Xsense技術(shù)。

    在觸控架構(gòu)中，ITO(銦錫氧化物)的透明導(dǎo)電感測(cè)層是關(guān)鍵性的組成，但一些理由，業(yè)者正在找尋替代材料，如：(1)銦是稀有材料;(2)ITO使用面積愈大，面電阻愈高，感測(cè)愈不靈敏;(3)ITO有脆性，不適合用于彎曲性的軟性應(yīng)用。

    近年來(lái)浮出臺(tái)面的ITO替代材料有不少，如石墨烯、納米碳管、納米銀線等，各有優(yōu)缺點(diǎn)，但始終難跨越量產(chǎn)門(mén)檻。Atmel提出的Xsense，也是ITO替代材的一種作法，業(yè)界稱(chēng)metal Mesh(金屬網(wǎng)格)，該公司則稱(chēng)為FLM(Fine-line metal)，采用的是極細(xì)的銅金屬線。為了讓金屬線不被肉眼看到，且不會(huì)遮光，此銅線必須做到5-10μm的線寬，這會(huì)讓電容感測(cè)變得相當(dāng)困難，也是一般觸控IC難以滿足的感測(cè)要求。

    別人做不到，Atmel做到了，這正是要當(dāng)市場(chǎng)一哥的必要條件吧。

    下一步，黃添華也看好在IPS面板上導(dǎo)入On-cell技術(shù)的設(shè)計(jì)架構(gòu)：“相較于In-cell，此架構(gòu)讓面板與觸控感測(cè)兩者能獨(dú)立工作，大幅降低難解的噪訊問(wèn)題，不論在成本、厚度與良率上，都相當(dāng)具有優(yōu)勢(shì)。” 由于三星AMOLED的觸控功能即是采用Atmel家的On-cell技術(shù)，相信要切入IPS領(lǐng)域，并不會(huì)太困難吧。