作者：Emma Wang and Minghan Dong
在通訊電源領(lǐng)域，有很多開發(fā)者需要采用峰值電流控制。在最新一代的C2000中，比如F28004X和F28002X（本文的討論都是基于這兩個系列的芯片），可以利用C2000內(nèi)部的CMPSS 模塊對電感電流進行比較，產(chǎn)生比較信號后，通過PWM的T1或T2事件去控制PWM的發(fā)波。
但是，Digital compare 模塊和Trip zone 模塊緊緊耦合在一起，所以開發(fā)者稍不留神，就會出現(xiàn)預(yù)料之外的現(xiàn)象。這里，以同步boost 電路為例，分析一下異常情況的原因和解決辦法。
每個Digital compare模塊能夠根據(jù)你選則的輸入信號，滿足低或高時，產(chǎn)生總共4個比較事件，即DCAEVT1/2和DCBEVT1/2。然后去做一些事情，比如，產(chǎn)生PWM保護，同步其他PWM，或者是去觸發(fā)ADC采樣。另外，也可以將這個信號可以送入T1和T2事件，去做PWM的動作。
圖1 PWM 子模塊關(guān)系圖
圖2為PWM保護模塊邏輯信號, 從圖中可以清楚地知道，DCAEVT1/DCBEVT1只能用于ONE SHOT保護，DCAEVT2/DCBEVT2只能用于CBC保護。
圖2 PWM保護模塊邏輯信號
同時，由Digital Compare模塊生成的DCAEVT1/2和DCBEVT1/2有兩個路徑可以作用到TZ：
一個是通過TZSEL 寄存器，選擇為TZA 和TZB的輸入源，即合上圖2 左側(cè)是選通開關(guān)；
另外就是在圖2右側(cè)，force和DCAEVT2.force會直接作用到PWMxA，類似的，DCBEVT1.force和DCBEVT2.force會直接作用到PWMxB。如figure 18-135所描述。
注：第一種方式，通過TZA 和TZB 的信號是有鎖存器的，即會有CBC 或是OST的保護，而這里，TZCTL的DCAEVT1/2和DCBEVT1/2復(fù)位值為高阻態(tài)，這樣如果外圍電路有下拉，對應(yīng)的動作會是拉低。第二種方式，DCAEVT1.force和DCAEVT2.force直接作用到PWMxA是沒有鎖存器的，所以在一個PWM周期內(nèi)，如果相應(yīng)的信號消失后，PWMxA就會立刻恢復(fù)。
在同步boost 電路的設(shè)計中，開發(fā)者用PWM1A/ PWM1B 兩個通道做Boost的主管和同步整流管的驅(qū)動。選擇峰值電流控制，并將比較信號通過C2000內(nèi)部的XBar給到DCBEVT2 產(chǎn)生T1動作，PWM的生成情況如圖3所示（為了簡化，圖3沒有加入死區(qū)），其中，PWM1B的波形為PWM1A的反轉(zhuǎn)波形。這個時候，開發(fā)者并沒有去修改TZCTL寄存器的值，即默認值高阻態(tài)。如table 18-66所描述。
圖3 同步boost PWM 發(fā)波邏輯
那么，當輸入電壓和輸出電壓非常接近的時候，這時，主管的占空比應(yīng)該非常小，而同步整流管的占空比應(yīng)該非常大。但是，實際上，從圖4 同步boost在輸入電壓近似于輸出電壓時發(fā)波異常的波形圖中可以看出，PWM1B的波形并不是PWM1A 的反轉(zhuǎn)。原因在于，由于DCBEVT2.force 的作用（程序設(shè)定高有效）會強制PWM1B 為高阻，而PWM1B管腳在硬件上有下拉電阻，從而拉低了PWM1B ，直到DCBEVT2.force消失。
這邊，需要注意，當DCAEVT1/2和DCBEVT1/2 做T1 和T2事件去動作PWM， 同時，沒有禁掉DCAEVT1/2和DCBEVT1/2的Trip 功能時，如果T1 和T2事件與trip的動作是矛盾的，以trip 的動作為準。而DCBEVT2只會影響PWM1B，不會影響PWM1A。
所以，我們重新配置軟件，把相應(yīng)的TZCTL寄存器中的DCBEVT2的值改為11，即讓DCBEVT2不產(chǎn)生保護作用。就可以解決波形異常的問題。
圖4 同步boost在輸入電壓近似于輸出電壓時發(fā)波異常
參考資料：
TMS320F28002x Real-Time Microcontrollers Technical Reference Manual (Rev. A)
