發布日期：2022-10-09 點擊率：60
工程師面臨著對現代電動汽車 (EV) 性能和里程的權衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時的充電站。另外，更長里程要求造成了各項進展的不確定性。為了增加續航能力，同時為駕駛者提供更高的性能，工程師需要設計驅動系統，確保盡可能多的電池能量轉移到驅動輪上。同樣重要的是，需要保持驅動系統足夠小，以適應車輛的限制。這些雙重需求需要高效率和高能量密度的組件。
電動汽車驅動系統的關鍵部件是三相電壓源逆變器（或稱“牽引逆變器”） ，它將電池的直流電壓轉換為車輛電機所需的交流電。打造一個高效的牽引逆變器對于平衡性能和里程至關重要，而提高效率的關鍵途徑之一就是適當使用寬帶隙 (WBG) 、碳化硅 (SiC) 半導體器件。
本文先介紹電動汽車牽引逆變器的作用。然后解釋用 SiC 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 設計該裝置時，如何才能打造出比使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 更高效的電動車驅動系統。文章最后介紹了一個基于 SiC MOSFET 的牽引逆變器實例，并說明了最大限度地提高該裝置效率的設計技巧。
電動汽車牽引逆變器將車輛的高壓 (HV) 電池提供的直流電轉換為電機所需的交流電，以產生移動車輛所需的扭矩。牽引逆變器的電氣性能對車輛的加速和行駛里程有很大影響。
現代牽引逆變器的高壓電池驅動系統電壓為 400 伏，或者到最近的 800 伏。在牽引逆變器電流為 300 安培 (A) 或更大的情況下，由 800 伏電池系統供電的設備能夠提供超過 200 千瓦 (KW) 的功率。隨著功率的攀升，逆變器的尺寸也在縮小，大大增加了功率密度。
擁有 400 伏電池系統的電動車需要牽引逆變器采用額定電壓為 600 至 750 伏的功率半導體器件，而 800 伏的車輛則需要額定電壓為 900 至 1200 伏的半導體器件。牽引逆變器中使用的功率元件也必須能夠處理 30 秒 (s) 超過 500A 的峰值交流電流和 1 毫秒 (ms) 內的最大交流電流 1600A。此外，用于該設備的開關晶體管和柵極驅動器也必須能夠處理這些大的負載，同時保持高的牽引逆變器效率（表 1）。
表 1：2021 年典型牽引逆變器要求；與 2009 年相比，如表所示能量密度要求增加了 250%。（圖片來源：Steven Keeping）
牽引逆變器通常包括三個半橋元件（高壓側加低壓側開關），每個電機相位都有一個，柵極驅動器控制著每個晶體管的低壓側開關。整個組件必須與為車輛其他系統供電的低壓 (LV) 電路進行電隔離（圖 1）。
圖 1：電動車需要一個三相電壓源逆變器（牽引逆變器）以將高壓 (HV) 直流電池電源轉換為車輛電機所需的交流電源。高壓系統，包括牽引逆變器，與車輛的傳統 12 伏系統隔離。（圖片來源：ON Semiconductor）
圖 1 所示例子中的開關是 IGBT。這類逆變器一直是牽引逆變器的熱門選擇，因為它們能夠處理高電壓，開關迅速，提供良好的效率，而且價格相對便宜。然而，隨著 SiC 功率 MOSFET 成本的下降和它們在商業上的普及，工程師們正在轉向這些元件，因為它們比 IGBT 具有明顯的優勢。
與傳統硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 功率 MOSFET 的關鍵性能優勢來自于器件的 WBG 半導體襯底。硅 MOSFET 的帶隙能量為 1.12 電子伏特 (eV) ，而 SiC MOSFET 為 3.26 eV。這意味著 WBG 晶體管可以承受比硅器件高得多的擊穿電壓，以及由此產生的擊穿場電壓比硅器件高十倍左右。高擊穿場電壓允許在既定電壓下減少器件的厚度，降低“導通”電阻 (RDS(ON))，從而減少開關損耗并提高載流能力。
SiC 的另一個關鍵優勢是它的導熱性，大約比 Si 高三倍。較高的導熱性能導致在一定的功率耗散下結溫 (Tj) 上升較小。SiC MOSFET 還可以容忍比 Si 更高的最大結溫 (Tj(max) ) 。硅 MOSFET 的典型 Tj(max) 值為 150?C；SiC 器件可以承受高達 600?C 的 Tj(max)，盡管商業器件的額定溫度通常為 175 至 200?C。表 2 提供了 Si 和 4H-SiC（通常用于制造 MOSFET 的 SiC 結晶形式）之間的性能比較。
表 2：SiC MOSFET 的擊穿電場、熱導率和最大結溫使之成為大電流和高電壓開關應用中比 Si 更好的選擇。（圖片來源：ON Semiconductor）
高擊穿電壓、低 RDS(ON)、高導熱性和高 Tj(max) 使得 SiC MOSFET 能夠處理比類似尺寸的 Si MOSFET 高得多的電流和電壓。
IGBT 也能夠處理高電壓和高電流，并且往往比 SiC MOSFET 更便宜——這是它們在牽引逆變器設計中得到青睞的一個關鍵原因。IGBT 也有缺點，特別是當開發者希望最大限度地提高能量密度時，由于其“尾電流”和相對較慢的關斷速度，對最大工作頻率有限制。相比之下，SiC MOSFET 能夠處理與 Si MOSFET 相同的高頻開關，但具有 IGBT 的電壓和電流處理能力。
直到最近，由于 SiC MOSFET 的價格相對較高，它們的使用僅限于豪華電動車的牽引逆變器，但價格的下降使 SiC MOSFET 成為更多種類的選擇。
On Semiconductor：NTBG020N090SC1 和 NTBG020N120SC1 是這種新一代 SiC 功率 MOSFETS 的兩個實例。這兩種器件的主要區別是，前者的最大漏源極擊穿電壓 (V (BR)DSS) 為 900 伏，柵源電壓 (VGS) 為 0 伏，連續漏極電流 (ID) 為 1 毫安 (mA)，而后者的最大 V (BR)DSS 為 1200 伏（在相同條件下）。這兩個器件的最大 Tj 是 175?C。這兩個器件都是單 N 溝道 MOSFET，采用 D2PAK-7L 封裝（圖 2）。
圖 2：NTBG020N090SC1 和 NTBG020N120SC1 N 溝道 SiC 功率 MOSFET 都采用 D2PAK-7L 封裝，主要區別在于其 V(BR)DSS 值分別為 900 和 1200 伏。（圖片來源：Steven Keeping，使用了 On Semiconductor 的材料）
NTBG020N090SC1 的 RDS(ON) 為 20 毫歐 (mΩ)，VGS 為 15 伏（ (ID = 60 A, Tj = 25?C)，RDS(ON) 為 16mΩ，VGS 為 18 伏 (ID = 60 A, Tj = 25?C)。最大連續漏源二極管正向電流 (ISD) 為 148A（VGS= -5 伏，Tj = 25?C），最大脈沖漏源二極管正向電流 (ISDM) 為 448A（VGS = -5 伏，Tj = 25?C）。NTBG020N120SC1 則在 VGS 為 20 伏時具有 28 mΩ 的 RDS(ON) (ID = 60 A, Tj = 25?C)。最大 ISD 為 46 A（VGS = ?5 伏，Tj = 25?C），最大 ISDM 是 392 A（VGS = ?5 伏，Tj = 25?C）.
盡管 SiC MOSFET 具有優勢，但希望將 SiC MOSFET 納入其牽引逆變器設計的設計人員應該注意一個重要的復雜問題，即這種晶體管有棘手的柵極驅動要求。其中一些挑戰來自于這樣一個事實：與 Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 表現出較低的跨導、較高的內部柵極電阻，并且柵極開啟閾值可能低于 2 伏。因此，在關斷狀態下，柵極必須被拉到地電位以下（通常為 -5 伏），以確保正確的開關。
然而，關鍵的柵極驅動挑戰來自于必須應用大的 VGS（高達 20 伏）以確保低 RDS(ON)。在太低的 VGS 下操作 SiC MOSFET 可能會導致熱應力，甚至由于功率耗散而失效（圖 3）。
圖 3：對于 NTBG020N090SC1 SiC MOSFET，需要高 VGS 以避免高 RDS(ON) 帶來熱應力。（圖片來源：ON Semiconductor）
此外，由于 SiC MOSFET 是一個低增益器件，設計者在設計柵極驅動電路時必須考慮到這對其他幾個重要動態特性的影響。這些特性包括柵極電荷米勒平臺和對過流保護的要求。
這些復雜的設計要求專用柵極驅動器具有以下屬性：
能夠提供 -5 至 20 伏的 VGS 驅動，以充分利用 SiC MOSFET 的性能優勢。為了提供足夠的開銷以滿足這一要求，柵極驅動電路應能承受 VDD = 25 伏和 VEE = -10 伏。
VGS 必須有快速的上升和下降邊緣，大約為幾納秒 (ns) 。
柵極驅動必須能夠在整個 MOSFET 米勒平臺區域內提供數安培的高峰值柵極電流。
灌電流的額定值應超過僅對 SiC MOSFET 的輸入電容放電所需的電流。對于高性能的半橋電源拓撲結構，應考慮 10 A 級的最小峰值灌電流額定值。
實現高速開關的低寄生電感。
小型驅動器封裝能夠盡可能地靠近 SiC MOSFET，以提高能量密度。
去飽和 (DESAT) 功能能夠進行檢測、故障報告和保護，以實現長期可靠的運行。
一個 VDD 欠壓鎖定 (UVLO) 電平與開關開始前 VGS > 16 伏的要求相匹配。
提供 VEE UVLO 監測能力，以確保負電壓軌在可接受的范圍內。
On Semiconductor 已推出一款柵極驅動器，旨在滿足牽引逆變器設計的上述要求。NCP51705MNTXG SiC MOSFET 柵極驅動器具有高集成度，因此不僅與其 SiC MOSFET 兼容，而且與眾多制造商的產品兼容。該器件包括許多通用柵極驅動器所共有的基本功能，但也具有使用最小外部元件設計可靠的 SiC MOSFET 柵極驅動電路所必需的專門要求。
例如，NCP51705MNTXG 集成了一個 DESAT 功能，只需使用兩個外部元件就可以實現。DESAT 是 IGBT 和 MOSFET 的一種過流保護形式，用于監測故障，據此 VDS 就可以上升到最大 ID。這可能會影響效率，在最壞的情況下，可能會損壞 MOSFET。圖 4 顯示了 NCP51750MNTXG 如何通過 R1 和 D1 的 DESAT 引腳來監測 MOSFET (Q1) 的 VDS。
圖 4：NCP51705MNTXG 的 DESAT 功能能夠測量 VDS 在最大 ID 期間的異常行為，并實現過流保護。（圖片來源：ON Semiconductor）
NCP51705MNTXG 柵極驅動器還具有可編程的欠壓鎖定功能。在驅動 SiC MOSFET 時，這是一個重要的功能，因為開關元件的輸出應該被禁用，直到 VDD 高于一個已知的閾值。允許驅動器在低 VDD 下開關 MOSFET 會損壞器件。NCP51705MNTXG 的可編程 UVLO 不僅可以保護負載，而且可以向控制器驗證所施加的 VDD 是否高于開啟閾值。UVLO 的開啟閾值是通過 UVSET 和 SGND 之間的一個電阻設置的（圖 5）。
圖 5：NCP51705MNTXG SiC MOSFET 的 UVLO 開啟閾值通過 UVSET 電阻 RUVSET 設置，具體阻值根據所需的 UVLO 開啟電壓 VON 選擇。（圖片來源：ON Semiconductor）
為了完成牽引逆變器的設計，工程師必須確保車輛的低壓側電子設備與通過逆變器的高電壓和電流隔離（上圖 2）。然而，由于控制高壓柵極驅動器的微處理器在低壓側，任何隔離都必須允許數字信號從微處理器傳遞到柵極驅動器。On Semiconductor 也提供了一種實現這種功能的元件，即 NCID9211R2，一種高速、雙通道、雙向陶瓷數字隔離器。
NCID9211R2 是一個電隔離的全雙工數字隔離器，允許數字信號在系統之間傳遞而不產生接地回路或危險電壓。該設備具有 2000 伏峰值最大工作絕緣能力，100 千伏/毫秒 (kV/ms) 的共模抑制，以及每秒 50 兆比特 (Mbit/s) 的數據吞吐量。
圖 6 所示為片外陶瓷電容器構成的隔離柵。
圖 6：展示 NCID9211R2 數字隔離器單通道結構的框圖。片外電容器構成了隔離柵。（圖片來源：ON Semiconductor）
數字信號使用 ON-OFF 開關鍵控 (OOK) 調制方式穿過隔離柵進行傳輸。在發射器一側，VIN 輸入邏輯狀態被高頻載波信號調制。由此產生的信號被放大并傳輸到隔離柵。接收端檢測隔離柵信號，并使用包絡檢測技術對其進行解調（圖 7）。當輸出允許控制 EN 為高電平時，輸出信號決定了 VO 的輸出邏輯狀態。當發射器電源關閉，或 VIN 輸入斷開時，VO 默認為高阻抗低電平狀態。
圖 7：NCID9211 數字隔離器使用 OOK 調制跨越隔離柵來傳輸數字信息。（圖片來源：ON Semiconductor）
SiC 功率 MOSFET 是高效率和高功率密度電動汽車牽引逆變器的好選擇，但其電氣特征在柵極驅動器和器件保護方面也帶來獨特的設計挑戰。除了設計上的挑戰，工程師們還必須確保他們的牽引逆變器設計能夠與車輛敏感的低壓電子裝置進行高級別隔離。
如上所述，為方便工程開發，On Semiconductor 推出了一系列 SiC MOSFET、專用柵極驅動器和數字隔離器，以滿足牽引逆變器的要求，并在現代電動汽車的長量程和高性能要求之間取得了更好的平衡。
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