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類型分類:
科普知識
數據分類:
MOSFET

適用于用于電信系統和POE網絡應用程序的MOSFET

發布日期:2022-10-09 點擊率:54

【導讀】AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要競爭對手,分別構建。的低導通電阻減小導通損耗,并允許器件工作在較低的溫度下。

阿爾法和歐米茄半導體有限公司宣布推出AON7280和AON7290的最新補充到新的80V和100V AlphaMOS的中壓組合。這些新產品非常適合于廣泛的應用,其中包括二次側同步整流 DC / DC,AC / DC轉換器,POL模塊,用于電信系統,POE網絡應用程序。


圖1:AON7280和AON7290
圖1:AON7280和AON7290

使用專有的AOS AlphaMOS技術,AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要競爭對手,分別構建。的低導通電阻減小導通損耗,并允許器件工作在較低的溫度下。這是不影響開關性能的兩個設備提供最低的RDS * COSS的行業。這些解決方案被打包在綠色DFN3.3×3.3封裝,電路板空間的關鍵應用提供電路設計的靈活性。

“在狹小的空間中構建高效的電源解決方案,設計人員在更小的 封裝的高性能MOSFET中實現。”斯蒂芬說。在AOS的高級產品營銷張經理說:“AON7280和AON7290結合了高密度AlphaMOS技術,具有結構緊湊DFN3.3×3.3封裝,以滿足設計師需求。“

AON7280技術要點

80V N溝道MOSFET
RDS<8.5毫歐(最大值)在VGS = 10V(最低在行業)
COSS = 265 pF的典型
QG(10V)= 26 NC(典型值)
最低RDS * Qg和數字的優點在市場上
最低RDS * COSS數字的優點在市場上
100%的Rg和UIS測試

AON7290技術要點

100V N溝道MOSFET
RDS<12.6毫歐最大VGS = 10V(最低在行業)
COSS = 175 pF的典型
QG(10V)= 26.5 NC(典型值)
最低RDS * COSS數字的優點在市場上
100%的Rg和UIS測試

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