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我經(jīng)常碰到很多的設(shè)計(jì)師咨詢我一個(gè)問題；說我們目前碰到EMI問題根據(jù)您的EMI濾波器設(shè)計(jì)法則 確實(shí)解決了我們的EMI－傳導(dǎo)問題；但是還是經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)30MHZ－80MHZ 特別是30MHZ的EMI－輻射問題；有時(shí)還兼而有之。

朋友們問的問題非常好！如果不是有很多年的開關(guān)電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和對(duì)EMI的了解，一般還沒有人細(xì)致去研究；如果30MHZ左右對(duì)大多數(shù)的設(shè)計(jì)來說有很高幾率出現(xiàn)那這個(gè)30MHZ的頻率一定是由器件寄生參數(shù)及回路的諧振而產(chǎn)生，如果是諧波分量的F＝1／（ЛTr）的機(jī)制出現(xiàn)幾率就會(huì)不被關(guān)注了。

注意：

30MHZ以后隨著頻率的升高差模成分呈遞減趨勢(shì)；共模成分呈遞增趨勢(shì)。

基本電路結(jié)構(gòu)1

基本電路結(jié)構(gòu)2

我先來分析計(jì)算上面的基本電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行＝ 30MHZ的諧振參數(shù)理論計(jì)算＆同時(shí)注意目前開關(guān)MOS的寄生電容參數(shù)。（請(qǐng)注意使用的開關(guān)MOS－DS）

通過我下面的計(jì)算數(shù)據(jù)我們就能得到答案。

30MHZ的諧振參數(shù)分析1

30MHZ的諧振參數(shù)分析2

30MHZ的諧振參數(shù)分析3

30MHZ的諧振參數(shù)分析4

請(qǐng)運(yùn)用上面的參數(shù)進(jìn)行遞推 同時(shí)查看使用的開關(guān)MOS的電容參數(shù)。

通過上面的諧振參數(shù)的分析：

對(duì)一定功率等級(jí)的變壓器電感設(shè)計(jì)；

30MHZ相當(dāng)于3－5uH的漏感 與 6－10PF的開關(guān)管的結(jié)電容的諧振。

PCB環(huán)路的設(shè)計(jì)；

30MHZ相當(dāng)于45－50nH的走線電感與開關(guān)管VDS的輸出電容600PF－620PF的諧振。

由此可以得出：

開關(guān)電源為什么／EMI－30MHZ前后超標(biāo)幾率高的問題，目前我們使用的開關(guān)MOS的寄生參數(shù)（器件選擇）；開關(guān)管采樣回路PCB走線的長度（1mm布線1mm走線近似1nH）都不知不覺的落到我們的諧振頻率30MHZ左右，并且是包絡(luò)性超標(biāo)；因此請(qǐng)大家關(guān)注，30MHZ是單點(diǎn)的超標(biāo)是時(shí)鐘的可能性就比較大。