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安全觸邊

藤倉熔接機(jī)的熔接參數(shù)調(diào)整方法

發(fā)布日期:2022-04-17 點(diǎn)擊率:2222 品牌:組態(tài)王_Kingview

  在熔接某些特種光纖亦或是不同種光纖對(duì)熔的時(shí)候,熔接后的損耗往往不太理想,如果在熔接機(jī)的既有模式里面不能找到相對(duì)應(yīng)的模式的話,就需要我們手動(dòng)進(jìn)行測試來找到符合自己光纖的最合適的熔接參數(shù),下面我就來介紹一下調(diào)整參數(shù)的辦法,適用于藤倉的干線熔接機(jī)60S,80S,包括最新的61S以及62S。

  注意點(diǎn)

  注意①切割角度需要在1°以內(nèi)進(jìn)行熔接。

  注意②進(jìn)行熔接損耗平均值比較的時(shí)候,和平均值有15%以上差距的判斷為變好或者變壞.

  注意③需要使用新的電極棒。

  注意④本說明書適用于包層為兩端同樣為125um的光纖進(jìn)行熔接.

  注意⑤以本說明書最后的測試方法來測定熔接損耗.

  Step1放電時(shí)間(ArcTime)的最優(yōu)化

  Step1-1.放電1時(shí)間的設(shè)定。

  (1)放電1時(shí)間→1000[ms]

  (2)放電1時(shí)間→2000[ms]

  (3)放電1時(shí)間→3000[ms]

  (4)放電1時(shí)間→4000[ms]

  (5)放電1時(shí)間→5000[ms]


  在4次多項(xiàng)式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時(shí)間T2[ms],

  將其設(shè)定為放電1時(shí)間。


  Step1-2.放電1時(shí)間的最優(yōu)化。(可能的話最好使用3臺(tái)機(jī)器進(jìn)行)

  ①將放電1時(shí)間用以下方式進(jìn)行設(shè)定熔接(每種的熔接次數(shù)N=5)。

  (1)放電1時(shí)間→T1[ms]

  (2)放電1時(shí)間→T1×0.9[ms]

  (3)放電1時(shí)間→T1×1.1[ms]

  ②在4次多項(xiàng)式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時(shí)間T2[ms],

  將其設(shè)定為放電1時(shí)間。


  Step2較低放電功率下進(jìn)行熔接

  通常情況下不需要進(jìn)行此步驟。

  日本藤倉只在對(duì)80um光纖進(jìn)行熔接參數(shù)設(shè)置的時(shí)候才會(huì)做這一步。

  或者是在放電時(shí)間特別短例如1秒以下,亦或是仍然還需要降低損耗的情況下可以嘗試。

  將放電功率以20bit為單位下降,然后再次調(diào)整放電時(shí)間,確認(rèn)是不是能夠改善損耗。

  放電時(shí)間或者損耗有所改善的話說明STEP2可行。

  熔接損耗的優(yōu)劣差別如果達(dá)不到15%的話,還是選擇原有的放電功率。(因?yàn)槿醴烹姽β实那闆r下,Prefuse可能不能將光纖端面充分融化,比較容易造成熔接后的纖芯偏移)

  Step3端面間隔位置(GAPPOS.)的最優(yōu)化

  在同種光纖熔接的情況下不需要進(jìn)行。

  端面間隔位置用以下的設(shè)定來進(jìn)行熔接實(shí)驗(yàn)測試(每種測試次數(shù)N=5)。

  (1)端面間隔位置→中心(Step1已經(jīng)得到了數(shù)據(jù))

  (2)端面間隔位置→左-15um+測試觀察結(jié)果

  (3)端面間隔位置→左-30um+測試觀察結(jié)果

  (4)端面間隔位置→右-15um+測試觀察結(jié)果

  (5)端面間隔位置→右-30um+測試觀察結(jié)果

  選擇熔接損耗最低的作為最優(yōu)。

  Step4.光纖預(yù)熔時(shí)間(PrefuseTime)的最優(yōu)化

  一般設(shè)定為180ms.

  MM光纖為240ms(為了對(duì)應(yīng)氣泡的產(chǎn)生設(shè)置為長時(shí)間)

  80um光纖為60ms

  一般以上面3種情況進(jìn)行選擇就可以,多數(shù)情況不需要特意變更。

  Step5.重疊(Overlap)的最優(yōu)化

  一般設(shè)定為10um

  MM光纖為20um(為了對(duì)應(yīng)氣泡預(yù)熔時(shí)間增長,相應(yīng)推進(jìn)量也要增加)

  MM光纖之外變化基本上沒有什么意義。

  Step6.聚焦(Focus)的最優(yōu)化

  對(duì)纖芯對(duì)準(zhǔn)才有效。

  如果不能看見纖芯的話就算變化率聚焦量也會(huì)切換為包層對(duì)準(zhǔn)

  數(shù)值的設(shè)定量在AUTO以外一般是0.25或0.3.

  G.657光纖一般使用包層對(duì)準(zhǔn)

  纖芯比較小的時(shí)候,例如5um的話設(shè)置為0.3,

  一般情況下設(shè)置為0.25

  需要注意的是大多數(shù)的情況下,對(duì)損耗起到最大影響的是放電時(shí)間,對(duì)于大多數(shù)的光纖只需調(diào)整放電時(shí)間就可以起到理想的效果。

  N=30熔接數(shù)據(jù)測試

  以之前確定的最佳放電條件參數(shù)進(jìn)行測試(N=30)。

  用以下圖示的方法進(jìn)行測試。

  需要設(shè)備

  (1)LightSource:AgilentHP-8163A、HP-81654A

  (2)PowerMeter:AgilentHP-8163A、HP-81618A

  (3)OpticalSensor:AgilentHP-81524A、81624A

  (4)IntegratingSphere:AgilentHP-81002FF


  測試方法

  1.同種光纖熔接

  2.同種光纖熔接

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