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    壓力感應(yīng)器之雙面接觸式是由三個(gè)硅晶片結(jié)合而成。為了得到很好效果的結(jié)合三個(gè)硅晶片都是需要嚴(yán)格的表面處理，這樣的話才能使壓力感應(yīng)器的效果更加完美，對硅晶片的精度控制取決操作時(shí)的空間于是必須選擇在真空中來結(jié)合晶片。
    雙面接觸式電容壓力感應(yīng)器的制作原理是基于單面接觸式電容壓力感應(yīng)器。當(dāng)感應(yīng)器的受壓膜片與基底距離非常近的時(shí)侯，膜片受壓后與基底接觸，當(dāng)壓力數(shù)值變化時(shí)，通過改變接觸面積的大小來改變電容量。雙面接觸式電容壓力感應(yīng)器的電容由兩個(gè)部分組成：一部分為梁受壓后，還沒有接觸到襯底上的絕緣層時(shí)形成的電容，此電容類似于常規(guī)的電容壓力感應(yīng)器，這一部分只占接觸式電容壓力感應(yīng)器的電容量的很小一部分；另一部分是梁接觸到襯底后形成的電容，這部分電容量才是工作的電容量，而且它占主導(dǎo)地位，較多采用的是國產(chǎn)品牌電容。當(dāng)壓力增加時(shí)，梁與襯底的接觸面積增加，同時(shí)梁與襯底的非接觸部分減少。剛開始，電容主要由非接觸部分提供，隨著壓力的增加，梁開始接觸襯底的絕緣層后，非接觸部分提供的電容逐漸減少，而接觸部分提供的電容與接觸面積將呈線性增加。由于絕緣層非常薄，因此當(dāng)梁開始與襯底上的絕緣層接觸后，接觸面積所提供的電容將占主導(dǎo)地位。
    雙面接觸式壓力感應(yīng)器的缺點(diǎn)無非是硅晶體的易腐蝕性，影響的因素在晶體的類型，溶液的濃度，以及溫度的影響。同樣對于溫度因素對許多類型的儀器材都有影響，所以我們在使用的時(shí)候要注意對溫度的控制，溫度如果在10度左右是腐蝕速度最快的，如果溶液的濃度越大，腐蝕的速度也就越慢。雙面接觸式壓力感應(yīng)器優(yōu)點(diǎn)還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單片式，他不僅靈敏度高，而且對于同樣大小的器件，雙面接觸式電容壓力傳感器的電容量和靈敏度高出單面接觸式電容壓力傳感器1倍，受環(huán)境影響也比單片式小得多。