最早問(wèn)世的太陽(yáng)電池是單晶硅太陽(yáng)電池。硅是地球上極豐富的一種元素，幾乎遍地都有硅的存在，可說(shuō)是取之不盡。用硅來(lái)制造太陽(yáng)電池，原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易，所以人們?cè)谏a(chǎn)單晶硅太陽(yáng)電池的同時(shí)，又研究了多晶硅太陽(yáng)電池和非晶硅太陽(yáng)電池，至今商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的太陽(yáng)電池，還沒(méi)有跳出硅的系列。其實(shí)可供制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體材料很多，隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽(yáng)電池的品種將越來(lái)越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽(yáng)電池，除硅系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽(yáng)電池，舉不勝舉，以下介紹幾種較常見(jiàn)的太陽(yáng)電池。
單晶硅太陽(yáng)電池
單晶硅太陽(yáng)電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)得最快的一種太陽(yáng)電池，它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。這種太陽(yáng)電池以高純的單晶硅棒為原料，純度要求99.999％。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)電池專用的單晶硅棒。
將單晶硅棒切成片，一般片厚約0.3毫米。硅片經(jīng)過(guò)形、拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太陽(yáng)電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成P?/FONT>N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法，精配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過(guò)燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此，單晶硅太陽(yáng)電池的單體片就制成了。單體片經(jīng)過(guò)抽查檢驗(yàn)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽(yáng)電池組件（太陽(yáng)電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。最后用框架和裝材料進(jìn)行封裝。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可將太陽(yáng)電池組件組成各種大小不同的太陽(yáng)電池方陣，亦稱太陽(yáng)電池陣列。目前單晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15％左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有20％以上的。
多晶硅太陽(yáng)電池
晶硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽(yáng)電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)電池的研制。
目前太陽(yáng)電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100～300歐姆?厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混臺(tái)液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料，加人適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片，可提高材制利用率和方便組裝。多晶硅太陽(yáng)電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12％左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)電池，但是材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。
非晶硅太陽(yáng)電池
非晶硅太陽(yáng)電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)電池，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。
制造非晶硅太陽(yáng)電池的方法有多種，最常見(jiàn)的是輝光放電法，還有反應(yīng)濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空，充入氫氣或氬氣稀釋的硅烷，用射頻電源加熱，使硅烷電離，形成等離子體。非晶硅膜就沉積在被加熱的襯底上。若硅烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。襯底材料一般用玻璃或不銹鋼板。這種制備非晶硅薄膜的工藝，主要取決于嚴(yán)格控制氣壓、流速和射頻功率，對(duì)襯底的溫度也很重要。
非晶硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)有各種不同，其中有一種較好的結(jié)構(gòu)叫PiN電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶硅，再沉積一層未摻雜的i層，然后再沉積一層摻硼的P型非晶硅，最后用電子束蒸發(fā)一層減反射膜，并蒸鍍銀電極。此種制作工藝，可以采用一連串沉積室，在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序，以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。同時(shí)，非晶硅太陽(yáng)電池很薄，可以制成疊層式，或采用集成電路的方法制造，在一個(gè)平面上，用適當(dāng)?shù)难谀９に嚕淮沃谱鞫鄠€(gè)串聯(lián)電池，以獲得較高的電壓。因?yàn)槠胀ňw硅太陽(yáng)電池單個(gè)只有0.5伏左右的電壓，現(xiàn)在日本生產(chǎn)的非晶硅串聯(lián)太陽(yáng)電池可達(dá)2.4伏。目前非晶硅太陽(yáng)電池存在的問(wèn)題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低，國(guó)際先進(jìn)水平為10％左右，且不夠穩(wěn)定，常有轉(zhuǎn)換效率衰降的現(xiàn)象，所以尚未大量用于作大型太陽(yáng)能電源，而多半用于弱光電源，如袖珍式電子計(jì)算器、電子鐘表及復(fù)印機(jī)等方面。估計(jì)效率衰降問(wèn)題克服后，非晶硅太陽(yáng)電池將促進(jìn)太陽(yáng)能利用的大發(fā)展，因?yàn)樗杀镜停亓枯p，應(yīng)用更為方便，它可以與房屋的屋面結(jié)合構(gòu)成住戶的獨(dú)立電源。
多元化合物太陽(yáng)電池
多元化合物太陽(yáng)電池指不是用單一元素半導(dǎo)體材料制成的太陽(yáng)電池。現(xiàn)在各國(guó)研究的品種繁多，雖然大多數(shù)尚未工業(yè)化生產(chǎn)，但預(yù)示著光電轉(zhuǎn)換的滿園春色。現(xiàn)在簡(jiǎn)要介紹幾種：
（1）硫化鎘太陽(yáng)電池--早在1954年雷諾茲就發(fā)現(xiàn)了硫化鎘具有光生伏打效應(yīng)。1960年采用真空蒸鍍法制得硫化鎘太陽(yáng)電池，光電轉(zhuǎn)換效率為3.5%。到1964年美國(guó)制成的硫化鎘太陽(yáng)電池，光電轉(zhuǎn)換效率提高到4％～6％。后來(lái)歐洲掀起了硫化鎘太陽(yáng)電池的研制高潮，把光電效率提高到9％，但是仍無(wú)法與多晶硅太陽(yáng)電池競(jìng)爭(zhēng)。不過(guò)人們始終沒(méi)有放棄它，除了研究燒結(jié)型的塊狀硫化鎘太陽(yáng)電池外，更著重研究簿膜型硫化鎘太陽(yáng)電池。它是用硫化亞銅為阻擋層，構(gòu)成異質(zhì)結(jié)，按硫化鎘材料的理論計(jì)算，其光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)16.4％。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所于80年代初曾把薄膜硫化鎘太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率做到7.6％。盡管非晶硅薄膜電池在國(guó)際上有較大影響，但是至今有些國(guó)家仍指望發(fā)展硫化鎘太陽(yáng)電池，因?yàn)樗谥圃旃に嚿媳容^簡(jiǎn)單，設(shè)備問(wèn)題容易解決。
（2）砷化鎵太陽(yáng)電池--砷化鎵是一種很理想的太陽(yáng)電池材料，它與太陽(yáng)光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉(zhuǎn)換性能仍很良好，其最高光電轉(zhuǎn)換效率約30％，特別適合做高溫聚光太陽(yáng)電池。已研究的砷化鎵系列太陽(yáng)電池有單晶砷化鎵、多晶砷化鎵、鎵鋁砷--砷化鎵異質(zhì)結(jié)、金屬--半導(dǎo)體砷化鎵、金屬--絕緣體--半導(dǎo)體砷化鎵太陽(yáng)電池等。砷化鎵材料的制備類似硅半導(dǎo)體材料的制備，有晶體生長(zhǎng)法、直接拉制法、氣相生長(zhǎng)法、液相外延法等。由于鎵比較稀缺，砷有毒，制造成本高，此種太陽(yáng)電池的發(fā)展受到影響。
（3）銅銦硒太陽(yáng)電池--以銅、銦、硒三元化合物半導(dǎo)體為基本材料制成的太陽(yáng)電池。它是一種多晶薄膜結(jié)構(gòu)，一般采用真空鍍膜、電沉積、電泳法或化學(xué)氣相沉積法等工藝來(lái)制備，材料消耗少，成本低，性能穩(wěn)定，光電轉(zhuǎn)換效率在10％以上。因此是一種可與非晶硅薄膜太陽(yáng)電池相競(jìng)爭(zhēng)的新型太陽(yáng)電池。近來(lái)還發(fā)展用銅銦硒薄膜加在非晶硅薄膜之上，組成疊層太陽(yáng)電池的可能，借此提高太陽(yáng)電池的效率，并克服非晶硅光電效率的衰降。
