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Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V，總耗散功率為 355 W，最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內(nèi)部隔離基本絕緣（1 類，IEC 61140）
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA