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產(chǎn)品分類
分類：

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Nexperia PMDXB1200UPEZ MOSFET

訂 貨 號：PMDXB1200UPEZ      品牌：Nexperia

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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Nexperia PMDXB1200UPEZ MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計時，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設(shè)計，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

30 V，雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護：> 2 kV HBM
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
高側(cè)負載開關(guān)
開關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -410 mA
最大漏源電壓 -30 V
封裝類型 DFN1010B-6, SOT1216
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 5.1 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 -0.95V
最小柵閾值電壓 -0.45V
最大功率耗散 4030 mW
最大柵源電壓 8 V
寬度 1.05mm
典型柵極電荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
長度 1.15mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 6
暫無
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