ON Semiconductor SiC 電源系列 MOSFET 采用全新技術，與硅相比，可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外，低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。
最高效
更快的操作頻率
功率密度增加
降低的 EMI
系統尺寸減小
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 142 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.012. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
