STMicroelectronics RF5L08350CB4 是 400 W 50 V 高性能,內部匹配的 LDMOS FET ,設計用于在 0.4 至 1 GHz 頻段上的多個應用。
高效率和線性增益操作
集成式防靜電裝置
內部匹配,易于使用
較大的正負柵極 / 源電壓范圍
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大漏源電壓 | 110 V |
| 封裝類型 | B4E |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 1. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |