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訂 貨 號:STH12N120K5-2 品牌:Tronics
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
STMicroelectronics 極高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh ? K5 技術(shù)設(shè)計(jì)。因此可顯著降低接通電阻和超低柵極電荷,適用于需要卓越功率密度和高效率的應(yīng)用。
全球最佳 FOM (業(yè)績數(shù)字)
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護(hù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | H2PAK-2 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.69 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |