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the Infineon ex場 功率 mosfet 利用最新的處理技術，在每個硅片區(qū)域實現(xiàn)極低的接通電阻。此設計的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。

先進的工藝技術
超低接通電阻
175°C 工作溫度
快速切換
重復雪崩允許高達 Tjmax
無鉛