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產(chǎn)品分類(lèi)
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Microchip TN0106N3-G MOSFET

訂 貨 號(hào):TN0106N3-G      品牌:Microchip

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話(huà):
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Microchip TN0106N3-G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Microchip Technology

Microchip Technology 通孔安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產(chǎn)品、在 3ohms 柵源電壓下具有 10V 的漏源電阻。它具有 60V 的放電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它具有 350mA 的連續(xù)漏電流和 1W 的最大功耗。 此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V 。MOSFET 是一種增強(qiáng)模式(通常關(guān)閉)晶體管、采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該設(shè)備是所有 MOS 結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特征、不會(huì)出現(xiàn)熱失控和熱誘發(fā)的二次擊穿。此垂直 DMOS FET 已針對(duì)更低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗進(jìn)行了優(yōu)化。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?易于并行
? 極好的熱穩(wěn)定性
?無(wú)需二次故障
?高輸入阻抗和高增益
?集成源排放二極管
?低 CISS 和快速切換速度
?低功率驅(qū)動(dòng)要求
?工作溫度范圍在 -55°C 和 150°C 之間

應(yīng)用

?模擬開(kāi)關(guān)
?電池供電系統(tǒng)
?通用線路驅(qū)動(dòng)器
?邏輯電平接口 - 非常適合 TTL 和 CMOS
?光電驅(qū)動(dòng)
?固態(tài)繼電器
?電信交換機(jī)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? JEDEC


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 350 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類(lèi)型 TO-92
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 4.5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大功率耗散 1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
寬度 4.06mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 5.08mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)
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