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STMicroelectronics STO65N60DM6 MOSFET

訂 貨 號：STO65N60DM6      品牌：Tronics

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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STMicroelectronics STO65N60DM6 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

STMicroelectronics 高電壓 N 通道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的 MDmesh 快速生成相比， DM6 將每個(gè)區(qū)域的 RDS (接通) 的極低恢復(fù)電荷 (Qrr) ，恢復(fù)時(shí)間 (TRR) 和出色的改進(jìn)與嚴(yán)苛的高效橋接拓?fù)浜?ZVS 相移轉(zhuǎn)換器市場上最有效的切換行為之一相結(jié)合。

快速恢復(fù)體二極管
與上一代產(chǎn)品相比，每個(gè)區(qū)域的 RDS (接通) 較低
低柵極電荷，輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
極高 dv/dt 堅(jiān)固性
提供齊納保護(hù)
得益于額外的驅(qū)動源引腳，具有出色的切換性能


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 46 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-LL A2 型
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.076 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.75V
每片芯片元件數(shù)目 4
暫無
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