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訂 貨 號(hào):DMTH10H010SPS-13 品牌:Diodes
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
此新一代 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 設(shè)計(jì)旨在最大程度減少 RDS(接通)損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
額定溫度值為 +175°C - 特別適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅(jiān)固的端應(yīng)用
低 RDS(接通)- 可最大程度減少通態(tài)損耗
快速切換速度
應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)控制
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
電源管理
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 123(穩(wěn)定)A,87(狀態(tài))A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類(lèi)型 | PowerDI5060 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 11.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 166 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 5.1mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
長(zhǎng)度 | 6mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 56.4 nC @ 10V |