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STMicroelectronics 高電壓 N 溝槽功率場效應(yīng)管 (MOSFET) 屬于 MDmesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列。與上一代 MDmesh 快速恢復(fù)二極管相比，DM6 具有非常低的恢復(fù)電荷 (Qrr)、恢復(fù)時間 (trr) 并在每個區(qū)域的 RDS(導(dǎo)通) 上獲得卓越提升，同時還兼具市場上最嚴(yán)苛高效橋接拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和 ZVS 相移轉(zhuǎn)換器的最有效切換方式。

符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
快速恢復(fù)體二極管
與之前一代相比，每個區(qū)域 RDS(導(dǎo)通) 較低
低柵極電荷、低輸入電容和電阻
100% 通過雪崩測試