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此新一代 MOSFET 具有低接通電阻和快速切換的特性,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
100% 非鉗制電感切換 - 可確保更可靠
和堅固的端應(yīng)用
低 RDS(接通)- 可最大程度減少功率損耗
低 QG - 可最大程度減少切換損耗
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
電源管理功能
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
背光
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 32.7(狀態(tài))A,46.3(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | TO-252 (DPAK) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 3.7 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 6.2mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
長度 | 6.7mm |
典型柵極電荷@Vgs | 21.4 nC @ 10V |