STMicroelectronics 的新型 MDmesh M6 技術融合了聞名和 SJ MOSFET 的合并 MDmesh 系列的最新改進。STMicroelectronics 通過其新的 M6 技術在上一代 MDmesh 器件的基礎上構建，該技術將出色的 RDS (接通) 每區域改進與最有效的切換行為之一相結合，并提供用戶友好的體驗，以實現最大的最終應用效率。
減少切換損耗
與上一代產品相比，每個區域的 RDS (接通) 較低
低柵極輸入電阻
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
584.
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DPAK-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.75 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 晶體管材料 | Si |
