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STMicroelectronics 產(chǎn)品是基于最具創(chuàng)新性的超結(jié) MDmesh DM9 技術(shù)的 N 通道功率 MOSFET，適用于具有很低單位面積 RDS 和快速恢復二極管的中高壓 MOSFET。硅基 DM9 技術(shù)受益于多漏制造工藝，可實現(xiàn)增強型器件結(jié)構(gòu)。相應產(chǎn)品在所有硅基快速開關(guān)超結(jié)功率 MOSFET 中具有較低的導通電阻和柵極電荷，特別適用于需要更高功率密度和效率的應用。

達到硅基器件 FOM、導通 RDS 和 Qg 的全球最佳水平
更高的 VDSS 額定值
更高的 dv/dt 性能
卓越的開關(guān)性能
易于驅(qū)動
100% 雪崩測試