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STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 的先進、創新第 3 代 SiC MOSFET 技術開發。此器件在整個溫度范圍內具有非常低的 RDS(on)，而且電容小且開關速度超快，可在頻率、能效、系統尺寸和減重方面實現更高的應用性能。

AEC-Q101 認證,
整個溫度范圍內非常低的 RDS(接通),高
速切換性能,
非常快速且堅固的本質主體二極管,
用于提高效率的源感應引腳