當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
Infineon 汽車 direct場 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 60V ,直接 M4 封裝內(nèi)的最大連續(xù)漏極電流為 68A 。AUIRF7648M2 將最新的汽車 hex場 ? 功率 mosfet 硅技術(shù)與先進 Advanced ? 封裝技術(shù)相結(jié)合,以實現(xiàn)低柵極電荷和最低通態(tài)電阻,封裝尺寸僅為 so-8 且 0.7 mm 。當(dāng)在制造方法和工藝方面遵循應(yīng)用說明 a-1035 時, direct場 ? 封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。direct場 ? 封裝允許雙面冷卻,以最大限度地提高汽車電源系統(tǒng)中的熱傳遞。
先進的工藝技術(shù)
經(jīng)優(yōu)化可用于汽車電動機驅(qū)動器、直流 - 直流和其他大負(fù)載應(yīng)用
低 rds (接通)、可提高效率
重復(fù)雪崩能力、確保堅固性和可靠性
無鉛、 rohs 和無鹵素
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 68 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | Direct場 (m) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 9 |
最大漏源電阻值 | 0.007. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.9V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |