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Toshiba 場效應晶體管由硅材料制成,具有 N 溝道 MOS 型。它主要用于電源管理切換應用。
存儲溫度范圍 ?55 至 150 °C
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOT-23F |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 4.3e+007 Ω |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |