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屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | C |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 4 |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5.6V |
最小柵閾值電壓 | 2.7V |
最大功率耗散 | 880 W |
長度 | 122mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 45.6mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | SiC |