STMicroelectronics 是超高電壓 N 溝道 Power MOSFET,采用基于超級結技術的終極網狀 K6 技術設計。為需要卓越的功率密度和高效率的應用提供了同類最佳的單位面積導通電阻和柵極電荷。
世界最佳 RDS(接通)x 區域世界
最佳 FOM(優勢數字)超
低網關充
電 100% 爬風測試
Zener 保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |