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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi):

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Toshiba TK55S10N1 MOSFET

訂 貨 號(hào):TK55S10N1      品牌:東芝_Toshiba

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話(huà):
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Toshiba TK55S10N1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車(chē)
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 5.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
增強(qiáng)模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 55 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類(lèi)型 DPAK
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 6.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 157 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 7mm
典型柵極電荷@Vgs 49 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.5mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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