the Infineon ex場 40V 單 n 溝道功率 mosfet 。它采用 D2PAK （至 263 ）型封裝。它適用于切換小于 100 千赫的應用。
增強的主體二極管 dv/dt 和 di/dt 能力
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 426 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0012. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
