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Infineon IPW60R037CSFDXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPW60R037CSFDXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPW60R037CSFDXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超結(jié) MOSFET 是經(jīng)過優(yōu)化的設(shè)備,專為滿足板載 EV 充電市場(chǎng)領(lǐng)域的需求而定制。得益于低柵極電荷 (Qg) 和改進(jìn)的切換行為,它可在目標(biāo)市場(chǎng)中提供最高效率。此外,它還隨附集成快速主體二極管和大幅降低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) ,可在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)最高可靠性。由于具有這些功能, IPW60R037CSFD 符合車載 EV 充電站市場(chǎng)的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn),并進(jìn)一步支持高功率密度解決方案。

超快主體二極管
杰出反向恢復(fù)電荷 (Qrr)
改進(jìn)的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 236 a
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-to 247-3.
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.037 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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