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Infineon IPW60R024P7XKSA1 MOSFET

訂 貨 號:IPW60R024P7XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

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Infineon IPW60R024P7XKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 600V CoolMOS P7 超結(jié) MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設(shè)計過程中兼顧對高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ?第 7 代平臺固有的低柵極電荷 (QG) 可確保其高效率。

600V P7 可啟用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
集成柵極電阻器 RG
堅固的體二極管
廣泛的產(chǎn)品組合,采用通孔和表面安裝封裝
提供標(biāo)準(zhǔn)級和工業(yè)級部件
集成 RG 可降低 MOSFET 振蕩靈敏度
MOSFET 適用于硬和諧振切換拓?fù)洌?PFC 和 LLC
在 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,主體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
適用于各種終端應(yīng)用和輸出功率
提供的部件適用于消費和工業(yè)應(yīng)用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 386 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-to 247-3.
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.024. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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