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Fairchild Semiconductor FDB3652_F085 MOSFET

訂貨號：FDB3652_F085 品牌：IRC

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在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	61 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	43 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	150 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	9.65mm
典型柵極電荷@Vgs	41 nC @ 10 V
長度	10.67mm
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

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