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Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET

訂 貨 號：TK12E60W,S1VX(S      品牌：東芝_Toshiba

庫存數量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

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Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET
產品詳細信息

MOSFET 晶體管，Toshiba


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 11.5 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 300 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.7V
最大功率耗散 110 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.45mm
長度 10.16mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
暫無
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