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Fairchild Semiconductor FDS2672_F085 MOSFET

訂 貨 號:FDS2672_F085      品牌:IRC

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Fairchild Semiconductor FDS2672_F085 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

UltraFET? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)基準(zhǔn)效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復(fù)時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化。
應(yīng)用:高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動機(jī)驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.9 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 148 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 3.9mm
典型柵極電荷@Vgs 33 nC @ 10 V
長度 4.9mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無
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