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Fairchild Semiconductor FDMS3660S MOSFET

訂 貨 號:FDMS3660S      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

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Fairchild Semiconductor FDMS3660S MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們結(jié)合了小柵電荷,小反向恢復(fù)和軟反向恢復(fù)主體二極管,有助于在交流 / 直流電源中快速切換同步整流。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 Power 56
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 8.7 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1.1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 串行
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 21 nC @ 10 V
寬度 5.9mm
長度 5mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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