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Fairchild Semiconductor FDB3632_F085 MOSFET

訂 貨 號(hào):FDB3632_F085      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Fairchild Semiconductor FDB3632_F085 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,超過 60A,F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 22 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 310 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 84 nC @ 10 V
寬度 9.65mm
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無
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