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Vishay SI2337DS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI2337DS-T1-GE3      品牌:Vishay/威世

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Vishay SI2337DS-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 1.75 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 SOT-23 (TO-236)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 303 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 11 nC @ 10 V
長度 3.04mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無
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