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英飛凌日前表示,已同意向IBM提供使用其嵌入閃存制造工藝的許可。IBM將在北美使用這種130納米工藝。英飛凌表示,它將使用IBM的代工服務生產未來基于此工藝的產品。

英飛凌的上述130納米嵌入閃存工藝于2006年初開始在英飛凌的工廠中實現量產,用于生產從汽車系統到智能卡等應用的微控制器芯片。

英飛凌汽車、工業與多市場業務部主管Peter Bauer表示:“通過這項合作,英飛凌發揮了其自己的制造IP的價值,獲得了新的批量制造伙伴,而且加強了我們與長期伙伴之間的工作關系。”

“通過與英飛凌合作,我們拓寬了自己的半導體產品范圍。英飛凌是嵌入閃存技術領域中的全球領先廠商。”IBM全球工程解決方案部門的半導體副總裁Steve Longoria表示。“這項許可協議利用了我們現有的技術基礎,而且補足了我們的模擬與混合信號專門技術。”

上述工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行,計劃在2008年下半年推出初步設計工具。