發布日期：2022-07-14 點擊率：59
圖1. 完整的參考設計電路板,當中包含有ADC、全差分放大器和時鐘調整器電路。
為特定組件度身訂造的工藝技術
nded wafer)上采用深槽技術實現完全的介質隔離以及優化的高速放大器性能。鍵合晶圓采用的深槽技術可盡量降低寄生電容,優化功率/帶寬性能、降低失真并使裸片的體積更小。采用高性能NPN和PNP晶體管的互補雙極晶體管設計可以為現今的高速放大器帶來最優的性能組合,包括高帶寬、低功耗、低電源電壓、大輸出擺幅、高輸出電流和低失真。對于雙極晶體管來說,最常用的AC品質因素是過渡頻率(FT),在這頻率下共發射極電流增益下降到單位級。在VCE=5V下,VIP 10 NPN和PNP的FT分別為9GHz和8GHz,大約比同類競爭的工藝高出50%。晶體管的高FT意味著在既定工作點下其發射極-基極擴散電容值會很低。配合VIP 10晶體管,美國國家半導體可以設計出帶寬超過1GHz 或帶寬在100MHz 范圍以內的放大器,而且其功耗可以非常低。因為擴散和寄生電容同時被大幅削減后,內部級在很低的工作電流下也會出現低相位位移。對于某些雙極工藝來說,FT可以在較低電壓下大幅地下降,但若采用VIP 10工藝,那即使Vce=1V,FT都可維持在高水平:NPN可達7GHz而PNP可達5GHz。下面的公式1表示出一個雙極晶體管的過渡頻率是如何計算出來。
te 是發射極電容、q是電子的單位電荷、IC 是集電極電流、WB是基帶帶寬、μB是電子移動性、rcs是集電極電阻、Ccb 是集電極電容、Xs 是集電極空間電荷區的寬度,而vx則是集電極空間電荷區的飽和速度。
創新的技術
SMC、UMC、Synopsys等支持,這項技術可應用到任何CMOS工藝,而且設計工具和流程都已標準化,可配合任何的操作系統或應用,實現最優的能源效率。
建立一個完整的模擬系統
ADC14DS105KARB接收器參考設計板
圖2. 參考設計板的框圖。
示波器的前端電路等非常廣泛的領域。
F1, RF2),便可提供有超強增益平坦度和噪聲性能的增益和帶寬獨立性。在大多數的應用中,RF1都被設置成等于RF2,因此增益是由RF/RG的比例來決定。
F都會對穩定性構成影響。在許可的情況下,反饋電阻器還可以調整頻率響應。
圖3. 基本的電流反饋(CFB)拓撲。
低通濾波器。"/>
圖4. LMH6552電路和5階低通濾波器。
p-p,并在放大器的輸出處產生出2Vp-p。這里建議放大器最好由一個雙電源軌來供電(+/- 5VDC)。在VCCAA- 和VCCAB-處設置跳線,電路板就可在單電源模式下工作,詳細信息可參考LMH6552數據表中有關LMH6552單電源工作的部分。要獲得最佳的失真性能(最佳SFDR),建議采用一個低噪聲信號發生器來驅動評估板的信號輸入,而信號發生器的輸出應該經過帶通濾波以抑制由信號發生器引入的諧波失真,以及容許進行精確的噪聲和失真性能測量。然而,跟隨在LMH6552之后的43MHz的5階低通濾波器可過濾信號發生器的寬帶噪聲,從而進一步改善ADC的噪聲性能。濾波器輸出會被模/數轉換器采樣。
圖5. LMK02000的相位噪聲性能。
圖6. 典型SFDR和SNR性能與輸入頻率的關系。
帶通濾波器和ADC的結合通道響應。請注意圖中最佳的動態性能和通道間的匹配性。
作者:
Paul McCormack
資深產品應用工程師
美國國家半導體公司
