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SiGe 射頻雙極晶體管，Infineon

來自 Infineon 的一系列超低噪聲寬帶 NPN 雙極射頻晶體管。 這些異質(zhì)結(jié)雙極性設(shè)備采用 Infineon 的硅鍺:碳 (SiGe:C) 材料技術(shù)，特別適用于低功耗為關(guān)鍵要求的移動應(yīng)用。 借助典型的高達 65 GHz 傳輸頻率，這些設(shè)備用于放大器時可提供高達 10GHz 頻率的高功率增益。 晶體管包括用于 ESD 的內(nèi)部電路和過度射頻輸入電源保護。