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onsemi FGH75T65SQDNL4 IGBT

訂 貨 號:FGH75T65SQDNL4      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FGH75T65SQDNL4 IGBT
產品詳細信息

這款絕緣柵級雙極晶體管 (IGBT) 具有堅固且經濟高效的 Field Stop IV Trench 結構,可在苛刻的切換應用中提供卓越的性能,同時提供低通態狀態電壓和最小的切換損耗。此外,這款新設備采用 TO-247-4L 封裝,與標準 TO-247-3L 封裝相比可顯著降低 EON 損耗。IGBT 非常適合 UPS 和太陽能應用。該設備內置了一個柔軟且快速的共封裝續流二極管,具有低正向電壓。

極為高效的溝道,采用場截止技術
TJmax = 175°C
更好的柵極控制,降低切換損耗
獨立發射器驅動引腳
TO-247-4L,實現最小的 EON 損耗
專為高速切換而優化
它們是無鉛器件
光伏逆變器
不間斷電源變頻器
中性點鉗位拓撲


屬性 數值
最大連續集電極電流 200 A
最大集電極-發射極電壓 650 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
最大功率耗散 375 W
晶體管數 1
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
通道類型 P
引腳數目 4
開關速度 1MHz
晶體管配置
尺寸 15.8 x 5.2 x 22.74mm
暫無

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