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威世 SIHG47N60EF-GE3 IGBT

訂 貨 號:SIHG47N60EF-GE3      品牌:威世_Vishay

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威世 SIHG47N60EF-GE3 IGBT
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Vishay MOSFET

Vishay 通孔 N 溝道 TO-247AC-3 MOSFET 是一種新時代的產品,漏極源電壓為 600V ,最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 65mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 379W ,連續漏極電流為 47A。驅動電壓為 10V。此產品經過優化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優勢

?快速主體二極管 MOSFET ,采用 E 系列技術
? 無鹵素
?由于 Qrr 較低,因此提高了堅固性
?低品質因數 (FOM) Ron x Qg
?低輸入電容 (Ciss)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?減少 TRR , Qrr 和 IRRM
?超低柵極電荷 (Qg)

應用

?發光二極管 (LED)
? 3 級變頻器
?交流 / 直流橋接
? ATX 電源
?高強度照明 (HID)
? LLC
?相移橋 (ZVS)
?功率因數校正電源 (PFC)
?服務器和電信電源
?太陽能 PV 變頻器

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? UIS 測試


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