ON semiconductor 的新系列 Field Stop 第 4 代 IGBT 采用創新的 Field Stop IGBT 技術，為低傳導和切換損耗至關重要的太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS 和 PFC 應用提供最佳性能
最大接點溫度：TJ = 175 °C
正溫度系數易于并行操作
高電流容量
低飽和電壓：VCE (sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 75 A
所有零件均通過 ILM(1) 測試
高輸入阻抗
快速切換
嚴格的參數分布
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 150 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | P |
| 引腳數目 | 4 |
| 開關速度 | 1MHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.8 x 5.2 x 22.74mm |
