the Infineon trenchtop IGBT5 技術(shù)重新定義了杰出的無電偶、通過在高效率上為硬切換應(yīng)用提供無與倫比的性能、從而降低接點和外殼溫度、從而提高設(shè)備可靠性。它具有 650 v 的集電極發(fā)射極電壓和 80 a 的集電極電流
更高的功率密度設(shè)計
總線電壓可能增加 50V 、但不會影響可靠性
低碳正溫度系數(shù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 80 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 20V |
晶體管數(shù) | 1 |
最大功率耗散 | 270 W |
封裝類型 | TO-263 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |