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Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發射極電壓為 1200 V，全部功耗為 280 W，最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內部隔離基本絕緣（1 類，IEC 61140）
柵極-發射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發射極飽和電壓 2.30 V
柵極-發射極泄漏電流 400 nA