一系列 Infineon IGBT 晶體管，集電極-發射器電壓額定值為 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技術。該系列包括帶有集成高速、快速恢復反并聯二極管的設備。
? 集電極-發射器電壓范圍為 600 至 650V
? 極低的 VCEsat
? 低斷開損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最大接點溫度為 175°C
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 10 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 開關速度 | 1MHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
