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Infineon 單開關 IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT4 和發射器控制的 4 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高熱循環能力。

VCES 為 3300 V
IC 標稱值為 1600 A
ICRM 為 3200 A
它可保持高電流密度