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Vishay VS-GB75YF120UT IGBT

訂 貨 號:VS-GB75YF120UT      品牌:威世_Vishay

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Vishay VS-GB75YF120UT IGBT
產(chǎn)品詳細信息

IGBT 模塊,Vishay

Vishay 的高效 IGBT 模塊隨附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù)選項。 該系列包括單開關(guān)、逆變器、斬波器、半橋或采用自定義配置。 這些 IGBT 模塊設(shè)計用于在開關(guān)模式電源、不間斷電源、工業(yè)焊接、電動機驅(qū)動和功率因數(shù)校正系統(tǒng)中作為主切換設(shè)備。

典型應(yīng)用包括:升壓和降壓轉(zhuǎn)換器、正向和雙正向轉(zhuǎn)換器、半橋、全橋接(H 橋)和三相橋接。

廣泛的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型
直接安裝在散熱器上
可選擇 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù)
低 VCE(開)IGBT
切換頻率從 1 kHz 到 150 kHz
堅固的瞬時性能
高隔離電壓高達 3500 V
100 % 不含鉛 (Pb) 且符合 RoHS
低熱阻
廣泛的工作溫度范圍(-40 °C 至 +175 °C)

IGBT 模塊,Vishay

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 100 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 480 W
封裝類型 ECONO2
配置 雙半橋
安裝類型 PCB(印刷電路板)安裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 35
晶體管配置 雙路半橋接
尺寸 107.8 x 45.4 x 13.2mm
暫無

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